Die Haupt anwendungs bereiche von Silizium karbid wafern sind LED-Festkörper beleuchtung und Hochfrequenz geräte. Das Material hat aus gezeichnete Eigenschaften wie Bandlücke, Drift geschwindigkeit, Durchbruchs pannung, Wärme leitfähig keit und Hoch temperatur beständigkeit, die um ein Vielfaches höher sind als die von herkömmlichem Silizium, und hat unersetzliche Vorteile in elektronischen Anwendungs bereichen wie Hoch temperatur, Hochspannung, Hochfrequenz, hohe Leistung, Photo elektrizität, Strahlungs beständigkeit, Mikrowellen-und extreme Umwelt anwendungen wie Luft-und Raumfahrt, Militär industrie und Kernenergie. Der exklusive Lieferant von Siliziumkarbid-Einkristall in China ist in der absolut führenden Position in Forschung und Entwicklung, Technologie, Markte nt wicklung und kommerziellem Betrieb, und hat die Kernte chno logie von 76mm (3 Zoll) super großen SiC2-Kristallwachstum in Edelstein qualität erfolgreich gemeistert und erreichte 2001 das internat ionale fort geschrittene Niveau.
Bei der Anwendung von Halbleiter bauelementen kann Silizium karbid mit der Verringerung der Produktions kosten von Silizium karbid aufgrund seiner hervorragenden Leistung als Chip ersetzen. Dies wird den Engpass der Material leistung von Silizium chips auflösen und der Elektronik industrie revolutionäre Veränderungen bringen. Die Haupt anwendungs felder von Silizium karbid sind LED-Festkörper beleuchtung und Hochfrequenz geräte. In Zukunft wird der Hintergrund licht markt für Mobiltelefone und Notebooks für ein enormes Nachfrage wachstum nach Silizium karbid sorgen.
Die polarisiertenStress messerUnabhängig von Suzhou PTC Optical Instrument Co., Ltd. entwickelt und hergestellt, kann verwendet werden, um Defekte von Silizium karbid wafern wie Kratzer, Blasen, Schmutz usw. zu erkennen.
EN
ko 
fr 
de 
es 
it 
ru 
pt 
ar 
hi 
jw 
zh-CN
