Verschiedene elektronische Geräte, die üblicher weise im täglichen Leben zu finden sind, wie Mobiltelefone, Computer, Fernseher und Klimaanlagen, basieren alle auf den logischen Berechnungs-, Speicher-und Erfassungs funktionen verschiedener Chips.
Der Kern jedes Chips ist eine Matrize, die aus einer Vielzahl von Wafern geschnitten wird. Der Wafer selbst weist Ausbeute probleme auf, und auf der Oberfläche des Wafers können verschiedene Defekte vorhanden sein. Um zu verhindern, dass defekte Wafer in den nachfolgenden Prozess einfließen,Wafer-Inspektions maschine(Wie Polariskope usw.) muss verwendet werden, um Defekte auf der Wafer oberfläche zu identifizieren, zu klassifizieren und zu markieren und die Wafers ortierung zu unterstützen.
Abbildung 2 (a) Bloße Wafer (b) Gemusterte Wafer
Wie in der obigen Abbildung gezeigt, sind Wafer in nackte Wafer und gemusterte Wafer unterteilt. Es gibt viele Arten von Defekten auf der Wafer oberfläche, die im Prozess erzeugt werden können, oder die Defekte des Materials selbst. Zur Klassifizierung der Defekte können unterschied liche Methoden zur Fehler erkennung verwendet werden. Unter Berücksichtigung der physikalischen Eigenschaften von Defekten und der Pertinenz des Fehler erkennungs algorithmus können Defekte einfach in Oberflächen redundanz (Partikel, Schadstoffe usw.), Kristall defekte (Schlupf linien fehler, stapel fehler), Kratzer, Muster fehler (für gemusterte Wafer).
Einige Kristall defekte werden durch die Änderungen der Temperatur, des Drucks und der Konzentration der mittleren Komponenten während des Kristall wachstums verursacht; Einige werden durch die thermische Bewegung oder Spannung der Partikel verursacht, nachdem der Kristall gebildet wurde. Sie können wandern und sogar im Gitter verschwinden, gleichzeitig können neue Defekte erzeugt werden.